更新時間:2023-08-18
光入浸式光導(dǎo)室溫型HgCdTe探測器特點:室溫下工作;D*(10.6 µm)達到3*108cmHz1/2/W;響應(yīng)時間≤1ns;動態(tài)范圍寬;與快速邏輯元器件*兼容;使用方便;低成本;及時交貨;可根據(jù)客戶要求設(shè)計。
光入浸式光導(dǎo)室溫型HgCdTe探測器介紹
PCI-n(n表示特性波長,單位是微米)系列的光電探測器是非制冷紅外光電探測器,使用高折射率的GaAs(或CdZnTe )過半球透鏡(標準)或者半球透鏡(可選)進行光浸入。這些裝置在2~12µm范圍內(nèi)的任意值可以達到好的性能。他們的高性能和穩(wěn)定性通過新開發(fā)的變隙(HgCdZnTe)半導(dǎo)體優(yōu)化摻雜面和改進的表面處理來獲得。可以按客戶所定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。
光入浸式光導(dǎo)室溫型HgCdTe探測器參數(shù)
特性(@ 20ºC) | 單位 | LD-PCI-4 | LD-PCI-5 | LD-PCI-6 | LD-PCI-9 | LD-PCI-10.6 |
特性波長λop | µm | 4 | 5 | 6 | 9 | 10.6 |
探測率: at λ? peak, 20kHz at λop, 20kHz | cmHz1/2/W |
>1E10 >6E9 |
>6E9 >4E9 |
>2.5E9 >1E9 |
>5E8 >1E8 |
>1E8 >5E7 |
響應(yīng)度-@λop | Vmm/W | >600 | >300 | >60 | >3 | >1 |
響應(yīng)時間τ | ns | <1000 | <500 | <200 | <2 | <1 |
1/f噪聲拐點頻率 | kHz | 1-20 | 1-20 | 1-20 | 1-20 | 1-20 |
有效面積(長×寬) | mm×mm | 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2 | ||||
偏置電流-寬度比 | mA /mm | 1-2 | 2-4 | 3-10 | 3-15 | 5-20 |
薄層電阻系數(shù) | Ω/sqr | 300-1000 | 200-400 | 100-300 | 50-150 | 40-120 |
視場, F# | deg | 36,1.62 |